Hi2825V100芯片 | 海思官网

Hi2825V100 是一款高度集成2.4GHz BLE/SLE SoC解决方案，集成高性能、超低功耗的BLE5.3、SLE1.0和RF电路，RF包含功率放大器PA、低噪声放大器，天线以及电源等管理模块。星闪SLE 支持1M/2M/4M 3种带宽，物理层最大支持12Mbps速率。Hi2825V100集成高性能32bit微处理器（MCU），内置大容量SRAM和Flash，并支持在Flash上运行程序，支持硬件安全引擎以及丰富的外设接口。外设接口包括USB2.0 HighSpeed、SPI、UART、I2C、PWM、GPIO、PDM、I2S/PCM，支持 8 channel 12bit 4Msps SAR ADC和1 channel 16bit 1Msps SAR ADC（高性能）。 Hi2825V100 支持LiteOS和FreeRTOS，并配套提供完善的手册文档、开放易用的软件SDK及工具、详细硬件参考设计。Hi2825V100 SLE芯片可广泛应用于VR手柄/电竞键鼠/手写笔等HID外设、PC/平板/TV/机顶盒等消费电子产品。

星闪极致互联和无线真4K

超低时延，无线真4K回报率；2倍+抗干扰提升；12Mbps峰值体验（空口）
三模和高集成度外设

SLE1.0/BLE5.3/USB2.0 支持星闪4K和有线8K回报率；16bit 高精度ADC
高算力和大容量存储

32位MCU，96MHz，支持浮点，内置512KB SRAM及1MB Flash
优异的低功耗和安全特性

uA级深睡功耗；MCU运行功耗低至uA/Hz级。内置安全启动, 支持国密等多种加密算法

星闪极致互联

提供超低时延空口，极致体验

星闪SLE通过全新的物理层设计，支持更小的空口时隙，端到端时延大幅下降。采用基于Polar码的全新信道编码技术，获得超7dB的覆盖增益和抗干扰能力。支持基于中心调度的频谱资源分配，采用全新的信道扫描和选择机制，实现SLE快速跳频和信道优选，连接稳定性和数据传输可靠性大幅提升。星闪SLE支持更大的空口频宽和更高阶调制，空口传输速率能力相比传统短距技术大幅提升。

三模联接、丰富外设

BLE/SLE/USB 三模联接更多选择

在星闪SLE极致连接的基础上，支持USB2.0 HighSpped，充分释放星闪无线性能，最高有线回报率可达到8KHz，让电竞性能充分发挥。同时支持BLE5.3，兼容更多蓝牙生态应用场景。集成16bit高精度SAR ADC，提供过采样和自动校准，可用于对压力/环境参数等各种物理采集。

高算力、亚阈值超低功耗

更高算力和资源、放心计算更省电

RISC-V 开源MCU生态，支持浮点计算，内置1MB Flash, 无需外挂，内置512KB SRAM，满足大应用开销。开放易用的软件SDK及工具、完善的手册文档，加速产品开发和测试验证、大大缩短产品上市时间。亚阈值超低功耗技术，使MCU运行功耗低至7uA/HZ，放心算更省电。Normal/Sleep/DeepSleep等多种工作休眠模式，深睡电流最低可达1.5uA。充分满足各类电池类场景长续航长待机需求。

关键特性

星闪

• 星闪低功耗SLE1.0
• 支持SLE 1MHz/2MHz/4Hz
• 最大空口速率12Mbps
• 支持Polar信道编码
• 支持最大4K回报率
• 支持无线帧类型1
• 支持无线帧类型2

蓝牙

• 低功耗蓝牙BLE4.0/4.1/4.2/5.0/5.1/5.2/5.3
• 支持BLE 125Kbps、500Kbps、1Mbps、2Mbps
• 支持AoA Tx
• 支持BLE/WLAN 共存

MCU

• 高性能RISC-V 32bit MCU
• 工作频率96MHz
• 内置512KB SRAM
• 内置1MB Flash
• 支持eFuse/国密SM4
• 支持安全存储/安全启动

外围接口

• USB2.0 FS/HS、16bit SAR ADC、48 GPIO等
• 晶体和振荡器：32MHz晶振、32KHz晶体、32KHz RC振荡器

其他信息

• 电源电压输入范围：2.5V~4.5V，典型值3.3V
• 封装：
TFBGA 6.7mmx7.3mmx0.91mm（Hi2825V100：适用于鼠标、键盘等可用大封装的产品）
WLCSP 4.1mmx3.9mmx0.515mm（Hi2825WV100：适用于手写笔等需要小封装的产品）
• 工作温度：-30 ℃～85℃

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星闪极致互联和无线真4K

三模和高集成度外设

高算力和大容量存储

优异的低功耗和安全特性