短距小尺寸SPAD芯片
探测能力PDE>14%@940nm,芯片功耗低至80mW
±20mm高精度测距@5m范围内,深度细节清晰
抗100klux强光,高反膨胀串扰/多径干扰/粉尘雨雾滤波等场景
分辨率40×30
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最大探测量程15m+
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测距精度20mm
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Pixels20 μm
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SPAD偏压 -20 V
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PDE>14%@940nm
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Bin Num62
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Bin 最大计数1023
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IO 供电1.1/1.8/3.3 V
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MIPI1.5G bps
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