4G Cat4模组中间件

• LTE FDD/TDD/DC-HSPA+/TD-SCDMA/GSM多模
• 支持LTE Category 4
• 包含2个主频600MHz的Cortex-A9 处理器和1个主频120MHz的Cortex-M3处理器
• 专用的DSP及物理层硬件实现逻辑单元
• 专用HiFi2音频处理器
• 集成1Gbits LPDDR2内存，主频为600MHz. 可扩展支持外置2Gbits LPDDR2 
• 支持高达4Gbits的8位NandFlash
• 电源: 0.9V/1.2V/1.8V/2.5V/3.3
• 丰富的外设接口
• 先进制造工艺
• ESD电压： ±2000V
• Hi2152封装: FBGA 8.2mm*9.0mm 331 Pin
• Hi2153M(1G bits LPDDR2 integrated)封装: 7.0mm*9.0mm 327 Pin
• 工作温度: -40~+85 oC

LTE TDD/FDD
• LTE 3GPP R10
• 支持不同RAT制式间的互操作
• 支持带宽: 1.4M/3M/5M/10M/15M/20M
• MIMO: 下行 4*2MIMO, 2*2MIMO
• CSFB /SRVCC &VoLTE
• LTE Cat 4,下行峰值速率可达150Mbps/上行峰值速率可达50Mbps
WCDMA/HSPA/DC-HSPA+
• UMTS 3GPP FDD R5/6/7/8/9
• CPC, Enhanced F_DPCH,DL Enhanced Cell_FACH,UL_Enhanced CELL_FACH
• R9 DC-HSPA+ 双载波
-DL Cat 24, 峰值速率可达42Mbps
-UL Cat 7, 峰值速率可达11Mbps
TD-SCDMA
• TD-SCDMA 3GPP R7
• TD-HSUPA Cat6(R7),峰值速率可达2.2Mbps
• TD-HSDPA Cat14(R5),峰值速率可达2.8Mbps
GSM/GPRS/EDGE
• GSM/GPRS/EDGE Service
• GSM CS FR/EFR/HR/AMR/GMSK/WB-AMR
• GPRS/EGPRS ClassB Class 33
• A5-1/A5-2/A5-3/GEA1/GEA2/GEA3

• LTE FDD: Band 1~Band 14, Band 17~Band 28
• LTE TDD: Band 33~Band 41(包含AXGP)
• TDSCDMA: Band 34,39
• UMTS: Band 1~Band 6, Band 8, 9, 11, 19
• GSM: Band 2,3,5,8