Hi3065P
200MHz主频高性能、大存储实时控制MCU，80/64pin
Hi3065P是针对家电、工业等领域设计的高性能、大存储实时控制MCU，使用海思自有RISC-V内核，支持200MHz主频，支持64KB SRAM和最大512KB 内置Flash，可支持客户产品功能持续迭代和算法升级；可应用于空调、变频器、光伏逆变、便携储能等数字电机控制、开关电源控制类应用场景。
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高性能
• 200MHz主频，32bit RISC-V内核
• 集成了FPU ，支持浮点乘法、除法和开方等数学运算指令 -
大存储
• 64KB SRAM
• 最大512KB 内置Flash，可支持客户产品功能持续迭代和算法升级 -
高速高精的控制能力
• 高精度HRPWM分辨率可达800ps
• 模块化设计及增强型事件管理让发波配置更加灵活
• 纳秒级硬件刹车保护 -
更精准的采样
更快的反应机制• 3x3MSPS 12-bit ADC，高效灵活的控制环路检测能力
• 纳秒级响应比较器，集成DAC提供阈值
• 内置运放支持可编程增益
关键特性
CPURISC-V@200MHz+FPU
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存储
• 512KB/256KB/128KB Flash
• 64KB SRAM |
模拟接口
• ADC: 3x12bit, 3MSPS, 23ch
• DAC:3 • 比较器:3 • PGA:3 • 时钟:HOSC 25MHz, XTAL, LOSC, PLL |
通信接口• UART:5
• SPI:2 • I2C:1 • CAN:2 |
控制接口
• 高级HRPWM:18，分辨率800ps
• 通用PWM:2 • 定时器:4x32bit • 看门狗: WDT+IWDT • CAPM:3 • QDM:4 • GPIO:73/58 • GPIO(5V 容忍):42/27 |
加速引擎
• 6ch DMA, CRC engine
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安全
• 代码区读出保护
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可靠性• ESD等级：HBM 4kV，CDM 500V
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工作温度范围
• 工作环境温度: -40℃~+105℃
• 工作结温: -40℃~+125℃ |
工作电压
• 2.4V~3.63V
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封装
• LQFP 80,64
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