Hi3066M

面向家电的高性能eAI MCU

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Hi3066M

核心技术特性

高性能eAI引擎
200MHz主频,32bit RISC-V内核,内置eAI引擎和FPU浮点运算单元,支持复杂数学运算面向家电节能控制等场景
‌丰富外设
集成9路高精度PWM、多通道ADC/DAC、模拟比较器及PGA,满足电机控制、信号采集等需求
大储存高可靠
512KB Flash+64KB SRAM组合,支持ECC校验,保障数据安全
开发友好
提供完整开发工具链,支持快速调试与烧录

应用详情









面向家电的高性能eAI MCU
面向电源管理场景的高性能MCU
适用于数字电源、白色家电的MCU
面向工业控制与家电场景的高性能MCU
面向工业控制与家电场景的高性能MCU
适用于数字电源、白色家电的MCU
面向工业控制与家电场景的高性能MCU
适用于数字电源、白色家电的MCU
详细参数
RISC–V CPU
·高性能32bit处理器,最高频率200MHz
·集成乘法、除法、开平方等数学运算指令
·集成硬件浮点单元
·集成eAI引擎
片上存储
最大512kB Flash,支持ECC校验,支持指令和数据预取Cache
64kB SRAM,支持奇偶校验
时钟和系统控制
·支持4MHz ~ 30MHz外接高速晶振
·支持片上25MHz内置振荡器,全温度范围精度可达±1%
·支持片上32kHz内置振荡器
·支持1个WWDG(窗口看门狗定时器)
·支持1个IWDG(独立看门狗定时器)
·支持4个32bit通用Timer
控制接口
·支持9个APT(HRPWM模块 ,每个APT支持2路可硬件互补输出的HRPWM,误差小于1ns)
·支持3个CAPM(信号捕获模块)
·支持4个QDM接口(正交解码模块)
·支持2个GPT(通用PWM Timer)
电源管理
·供电电压范围2.4V ~ 3.63V
·内置POR上电复位
·内置PDR电源跌落复位
·内置PVD电压检测单元
系统外设
·支持6通道DMA
·支持硬件CRC引擎
·支持最多58个GPIO
·支持UID(MCU唯一身份编码)
通信接口
·支持2个SPI接口
·支持5个UART接口
·支持1个I2C接口
·支持2个CAN 2.0B接口
集成模拟电路
·支持3个12bit ADC,采样率3MSPS
·支持3个ACMP(模拟比较器)
·支持3个10bit DAC,输出速率0.3MSPS
·集成3个PGA(可编程增益放大器,增益倍数2/4/8/16)
·支持1个片上TSensor(温度传感器)
其他
·满足IEC60730 Class B功能安全要求
·支持空调eAI节能
·支持Flash代码保护
·支持-40℃ ~ +105℃环境温度
·支持调试接口JTAG/SWD
技术文档
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更新日期
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数据手册
Hi3066M 产品简介
2026-06-30
数据手册
Hi3066M 技术参考指南
2026-06-30
数据手册
Hi3066M 数据手册
2026-06-30
开发资源
Hi3066M SDK
2026-06-30
开发资源
Hi3066M参考设计
2026-06-30
开发资源
HiSpark Studio
2026-06-30

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产品系列
产品
 
产品
 
等级
 
核心
 
频率 (MHz)
 
RAM
 
Flash
 
算法加速
 
功能安全
 
A/D转换器(数量、分辨率)
 
D/A转换器(数量、分辨率)
 
比较器
 
PWM单元(路)
 
分辨率
 
运放
 
CAN接口
 
串口
 
SPI口
 
I2C口
 
环温 (℃)
 
封装
 
引脚
 
芯片尺寸 (L x W) (mm)
 
工业级
1 RISC-V
200
64KB
512KB
FPU,eAI
IEC 60730 Class B
1xADC
3MSPS@12bit
3x10bit
3
18
450ps
3
2
5
2
1
-40 to 105
QFP
64
10 x 10
声明:

该数据来自上海海思实验室

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